2011年自考“計(jì)算機(jī)組成原理”串講資料(3)

　　第3章 存儲(chǔ)系統(tǒng)$lesson$

　　一、名詞解釋?zhuān)?/P>

　　歷年真題：轉(zhuǎn)自環(huán) 球 網(wǎng) 校edu24ol.com

　?。?001年）2.DRAM：動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)器，利用電容電荷存儲(chǔ)信息。

　　（2001年）6.邏輯地址：程序員編程所用的地址以及CPU通過(guò)指令訪(fǎng)問(wèn)主存時(shí)所產(chǎn)生的地址。

　　（2001年）10.隨機(jī)存取方式：可按地址訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)器任一編址單元，其訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間相同且與地址無(wú)關(guān)。

　　六年以來(lái)就考了這3個(gè)名稱(chēng)解釋?zhuān)医?年都沒(méi)有考，所以第三章的名稱(chēng)解釋不是考試的重點(diǎn)，這里給大家列出了名詞解釋大家要熟悉一下，這都是本章的基本概念，有利于做選擇題及填空題。

　　1.RAM：隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)器，能夠快速方便的訪(fǎng)問(wèn)地址中的內(nèi)容，訪(fǎng)問(wèn)的速度與存儲(chǔ)位置無(wú)關(guān)。

　　2.ROM：只讀存儲(chǔ)器，一種只能讀取數(shù)據(jù)不能寫(xiě)入數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器。

　　3.SRAM：靜態(tài)隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)器，采用雙穩(wěn)態(tài)電路存儲(chǔ)信息。

　　4.DRAM：動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)器，利用電容電荷存儲(chǔ)信息。

　　5.EDO DRAM：增強(qiáng)數(shù)據(jù)輸出動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)，采用快速頁(yè)面訪(fǎng)問(wèn)模式并增加了一個(gè)數(shù)據(jù)鎖存器以提高數(shù)據(jù)傳輸速率。

　　6.PROM：可編程的ROM，可以被用戶(hù)編程一次。

　　7.EPROM：可擦寫(xiě)可編程的ROM，可以被用戶(hù)編程多次?？孔贤饩€(xiàn)激發(fā)浮置柵上的電荷以達(dá)到擦除的目的。

　　8.EEPROM：電可擦寫(xiě)可編程的ROM，能夠用電子的方法擦除其中的內(nèi)容。

　　9.SDRAM：同步型動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)器，在系統(tǒng)時(shí)鐘控制下進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫(xiě)。

　　10.快閃存儲(chǔ)器：一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，與EEPROM類(lèi)似，能夠用電子的方法擦除其中的內(nèi)容。

　　11.相聯(lián)存儲(chǔ)器：一種按內(nèi)容訪(fǎng)問(wèn)的存儲(chǔ)器，每個(gè)存儲(chǔ)單元有匹配電路，可用于是cache中查找數(shù)據(jù)。

　　12.多體交叉存儲(chǔ)器：由多個(gè)相互獨(dú)立、容量相同的存儲(chǔ)體構(gòu)成的存儲(chǔ)器，每個(gè)存儲(chǔ)體獨(dú)立工作，讀寫(xiě)操作重疊進(jìn)行。

　　13.訪(fǎng)存局部性：CPU的一種存取特性，對(duì)存儲(chǔ)空間的90%的訪(fǎng)問(wèn)局限于存儲(chǔ)空間的10%的區(qū)域中，而另外10%的訪(fǎng)問(wèn)則分布在90%的區(qū)域中。

　　14.直接映象：cache的一種地址映象方式，一個(gè)主存塊只能映象到cache中的唯一一個(gè)指定塊。

　　15.全相聯(lián)映象：cache的一種地址映象方式，一個(gè)主存塊可映象到任何cache塊。

　　16.組相聯(lián)映象：cache的一種地址映象方式，將存儲(chǔ)空間分成若干組，各組之間用直接映象，組內(nèi)各塊之間用全相聯(lián)映象。

　　17.全寫(xiě)法（寫(xiě)直達(dá)法）：cache命中時(shí)的一種更新策略，寫(xiě)操作時(shí)將數(shù)據(jù)既寫(xiě)入cache又寫(xiě)入主存，但塊變更時(shí)不需要將調(diào)出的塊寫(xiě)回主存。

　　18.寫(xiě)回法：cache命中時(shí)的一種更新策略，寫(xiě)cache時(shí)不寫(xiě)主存，而當(dāng)cache數(shù)據(jù)被替換出去時(shí)才寫(xiě)回主存。

　　19.按寫(xiě)分配：cache不命中時(shí)的一種更新策略，寫(xiě)操作時(shí)把對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)塊從主存調(diào)入cache.

　　20.不按寫(xiě)分配：cache不命中時(shí)的一種更新策略，寫(xiě)操作時(shí)該地址的數(shù)據(jù)塊不從主存調(diào)入cache.

　　一般寫(xiě)回法采用按寫(xiě)分配法，寫(xiě)直達(dá)法則采用不按寫(xiě)分配法。

　　21.虛擬存儲(chǔ)器：為了擴(kuò)大容量，把輔存當(dāng)作主存使用，所需要的程序和數(shù)據(jù)由輔助的軟件和硬件自動(dòng)地調(diào)入主存，對(duì)用戶(hù)來(lái)說(shuō)，好像機(jī)器有一個(gè)容量很大的內(nèi)存，這個(gè)擴(kuò)大了的存儲(chǔ)空間稱(chēng)為虛擬存儲(chǔ)器

　　22.層次化存儲(chǔ)體系：把各種不同存儲(chǔ)容量、不同訪(fǎng)問(wèn)速度、不同成本的存儲(chǔ)器件按層次構(gòu)成多層的存儲(chǔ)器，并通過(guò)軟硬件的管理將其組成統(tǒng)一的整體，使所存儲(chǔ)的程序和數(shù)據(jù)按層次分布在各種存儲(chǔ)器件中。

　　23.訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間：從啟動(dòng)訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)器操作到操作完成的時(shí)間。

　　24.訪(fǎng)問(wèn)周期時(shí)間：從一次訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)的操作到操作完成后可啟動(dòng)下一次操作的時(shí)間。

　　25.帶寬：存儲(chǔ)器在連續(xù)訪(fǎng)問(wèn)時(shí)的數(shù)據(jù)吞吐率。

　　26.段式管理：一種虛擬存儲(chǔ)器的管理方式，把虛擬存儲(chǔ)空間分成段，段的長(zhǎng)度可以任意設(shè)定，并可以放大或縮小。

　　27.頁(yè)式管理：一種虛擬存儲(chǔ)器的管理方式，把虛擬存儲(chǔ)空間和實(shí)際存儲(chǔ)空間等分成固定容量的頁(yè)，需要時(shí)裝入內(nèi)存，各頁(yè)可裝入主存中不同的實(shí)際頁(yè)面位置。

　　28.段頁(yè)式管理：一種虛擬存儲(chǔ)器的管理方式，將存儲(chǔ)空間邏輯模塊分成段，每段又分成若干頁(yè)。

　　29.固件：固化在硬件中的固定不變的常用軟件。

　　30.邏輯地址：程序員編程所用的地址以及CPU通過(guò)指令訪(fǎng)問(wèn)主存時(shí)所產(chǎn)生的地址。

　　31.物理地址：實(shí)際的主存儲(chǔ)器的地址稱(chēng)為“真實(shí)地址”。

　　二、選擇填空題：

　　歷年真題評(píng)析：

　　2000年：

　　5.動(dòng)態(tài)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的特點(diǎn)是（?。?/P>

　　A.在工作中存儲(chǔ)器內(nèi)容會(huì)產(chǎn)生變化

　　B.每次讀出后，需要根據(jù)原存內(nèi)容重新寫(xiě)入一遍

　　C.每隔一定時(shí)間，需要根據(jù)原存內(nèi)容重新寫(xiě)入一遍

　　D.在工作中需要?jiǎng)討B(tài)地改變?cè)L存地址

　　「分析」：動(dòng)態(tài)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是利用電容存儲(chǔ)電荷的特性記錄信息，由于電容會(huì)放電，必須在電荷流失前對(duì)電容充電，即刷新。方法是每隔一定時(shí)間，根據(jù)原存內(nèi)容重新寫(xiě)入一遍。

　　「答案」：C

　　8.地址線(xiàn)A15～A0（低），若選取用16K×1存儲(chǔ)芯片構(gòu)成64KB存儲(chǔ)器則應(yīng)由地址碼　　　譯碼產(chǎn)生片選信號(hào)。

　　「分析」：用16K×1芯片構(gòu)成64KB的存儲(chǔ)器，需要的芯片數(shù)量為：（64K×8）/（16K×1）=32，每8片一組分成4組，每組按位擴(kuò)展方式組成一個(gè)16K×8位的模塊，4個(gè)模塊按字?jǐn)U展方式構(gòu)成64KB的存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器的容量為64K=216，需要16位地址，選用A15-A0為地址線(xiàn)；每個(gè)模塊的容量為16K=214需要14位地址，選用A13-A0為每個(gè)模塊提供地址；A15、A14通過(guò)2-4譯碼器對(duì)4個(gè)模塊進(jìn)行片選。

　　「答案」：Al5，A14

　　9.有靜態(tài)RAM與動(dòng)態(tài)RAM可供選擇，在構(gòu)成大容量主存時(shí)，一般就選擇（　　　）。

　　「分析」：靜態(tài)RAM特點(diǎn)是存取速度快，單位價(jià)格（每字節(jié)存儲(chǔ)空間的價(jià)格）較高；動(dòng)態(tài)RAM則是存取速度稍慢，單位價(jià)格較低。所以考慮價(jià)格因素，在構(gòu)成大容量的存儲(chǔ)器時(shí)一般選擇動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器。

　　「答案」：動(dòng)態(tài)RAM

　　2001年：

　　11.高速緩沖存儲(chǔ)器 Cache 一般采?。ā。?。

　　A.隨機(jī)存取方式

　　B.順序存取方式

　　C.半順序存取方式

　　D.只讀不寫(xiě)方式

　　「分析」：Cache是為提高存儲(chǔ)器帶寬而在主存儲(chǔ)器和CPU之間增加的存儲(chǔ)器，目的是用來(lái)存儲(chǔ)使用頻繁的數(shù)據(jù)和指令，存取方式應(yīng)與主存儲(chǔ)器相同，均為隨機(jī)存取方式。

　　「答案」：A

　　12.若存儲(chǔ)周期 250ns ，每次讀出 16 位，則該存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)傳送率為（?。?。

　　A.4 × 10 6 字節(jié) / 秒　　　　　　　B.4M 字節(jié) / 秒

　　C.8 × 10 6 字節(jié) / 秒　　　　　　　D.8M 字節(jié) / 秒

　　「分析」：存儲(chǔ)周期250ns，換算為250×10-9秒；每個(gè)存儲(chǔ)周期可讀出16位，為兩個(gè)字節(jié)，則數(shù)據(jù)傳送率為：2字節(jié)／（250×10-9）秒，即8×106字節(jié)／秒。

　　「答案」：C

　　13.半導(dǎo)體靜態(tài)存儲(chǔ)器 SRAM 的存儲(chǔ)原理是（?。?。

　　A.依靠雙穩(wěn)態(tài)電路　　　　　　　　　B.依靠定時(shí)刷新

　　C.依靠讀后再生　　　　　　　　　　D.信息不再變化

　　「分析」：半導(dǎo)體靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM是由雙穩(wěn)態(tài)電路構(gòu)成，并依靠其穩(wěn)態(tài)特性來(lái)保存信息；動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM是利用電容器存儲(chǔ)電荷的特性存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，依靠定時(shí)刷新和讀后再生對(duì)信息進(jìn)行保存，而ROM中的信息一經(jīng)寫(xiě)入就不再變化。

　　「答案」：A

　　2002年：

　　6.一般來(lái)講，直接映象常用在（?。?/P>

　　A.小容量高速Cache　　　　　　　　B.大容量高速Cache

　　C.小容量低速Cache　　　　　　　　D.大容量低速Cache

　　「分析」：直接映象的地址轉(zhuǎn)換速度快，但塊的沖突概率較高。在大容量高速Cache系統(tǒng)中使用直接映象方式，即可以發(fā)揮Cache的高速度，又可以減少塊的沖突概率。

　　「答案」：B

　　7.下列存儲(chǔ)器中，（?。┧俣茸羁?。

　　A.硬盤(pán)　　　　　B.光盤(pán)　　　　　C.磁帶　　　　　　　D.半導(dǎo)體存儲(chǔ)器

　　「分析」：由于存儲(chǔ)器原理和結(jié)構(gòu)的不同，各種存儲(chǔ)器的訪(fǎng)問(wèn)速度各不相同。以上存儲(chǔ)器中訪(fǎng)問(wèn)速度由快到慢的順序?yàn)椋喊雽?dǎo)體存儲(chǔ)器、硬盤(pán)、光盤(pán)、磁帶。

　　「答案」：D

　　2003年：

　　15.在下列 Cache 替換算法中，一般說(shuō)來(lái)哪一種比較好（?。?。

　　A.隨機(jī)法　　　　　　　　　　　　B.先進(jìn)先出法

　　C.后進(jìn)先出法　　　　　　　　　　D.近期最少使用法

　　「分析」：在Cache替換算法中，隨機(jī)法是隨機(jī)地確定替換的存儲(chǔ)單元，先進(jìn)先出法是替換最早調(diào)入的存儲(chǔ)單元，它們都沒(méi)有根據(jù)程序訪(fǎng)存局部性原理，命中率較低；近期最少使用法比較正確地利用了程序訪(fǎng)存局部性原理，替換出近期用得最少的存儲(chǔ)塊，命中率較高，是一種比較好的替換算法。而后進(jìn)先出法不是Cache所使用的替換算法，此法在堆棧存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)中使用。

　　「答案」：D

　　2004年：

　　8. 表示主存容量的常用單位為（　）。

　　A.數(shù)據(jù)塊數(shù)　　B.字節(jié)數(shù)　　　　　C.扇區(qū)數(shù)　　　　　　D.記錄項(xiàng)數(shù)

　　「分析」：表示主存容量的常用單位字節(jié)B，是基本單位。此外還有KB、MB、GB、TB.

　　「答案」：B

　　11. 存儲(chǔ)器的隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)方式是指（?。?。

　　A.可隨意訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)器

　　B.按隨機(jī)文件訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)器

　　C.可對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行讀出與寫(xiě)入

　　D.可按地址訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)器任一編址單元，其訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間相同且與地址無(wú)關(guān)

　　「分析」：存儲(chǔ)器的隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)方式是指可按地址訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)器任一編址單元，其訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間相同且與地址無(wú)關(guān)。

　　「答案」：D

　　2005年：

　　6.動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的特點(diǎn)是（?。?/P>

　　A.工作中存儲(chǔ)內(nèi)容會(huì)產(chǎn)生變化

　　B.工作中需要?jiǎng)討B(tài)改變?cè)L存地址

　　C.工作中需要?jiǎng)討B(tài)地改變供電電壓

　　D.需要定期刷新每個(gè)存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)的信息

　　「分析」：此題與2000年考題基本相同。動(dòng)態(tài)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是利用電容存儲(chǔ)電荷的特性記錄信息，由于電容會(huì)放電，必須在電荷流失前對(duì)電容充電，即刷新。方法是每隔一定時(shí)間，根據(jù)原存內(nèi)容重新寫(xiě)入一遍。

　　「答案」：D

　　7.組相聯(lián)映象和全相聯(lián)映象通常適合于（?。?/P>

　　A.小容量Cache　　　　　　　　　　　B.大容量Cache

　　C.小容量ROM　　　　　　　　　　　　D.大容量ROM

　　「分析」：直接映象的地址轉(zhuǎn)換速度快，但塊的沖突概率較高。在大容量高速Cache系統(tǒng)中使用直接映象方式，即可以發(fā)揮Cache的高速度，又可以減少塊的沖突概率。組相聯(lián)映象和全相聯(lián)映象速度較低，通常適合于小容量Cache.

　　「答案」：A

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