2014年三級心理咨詢師考點解析:長時記憶的腦形態(tài)學基礎


長時記憶的腦形態(tài)學基礎
傳統(tǒng)記憶痕跡的最后一個觀點,即長時記憶痕跡是突觸或細胞的變化。雖然記憶痕跡理論形成時,人們對突觸化學傳遞的知識還很少,但根據當代積累的科學知識,我們可以把這一論斷歸結為3方面含義:突觸前的變化包括神經遞質的合成、儲存、釋放等環(huán)節(jié);突觸后變化包括受體密度、受體活性、離子通道蛋白和細胞內信使的變化;形態(tài)結構變化包括突觸的增多或增大。他們對比了生活環(huán)境、學習能力和腦結構變化的關系。這一研究足以說明腦形態(tài)結構與功能均具有很大的可塑性,學習記憶能力與腦結構變化有一定關系,但并不能精確說明長時記憶痕跡究竟與哪幾項腦結構或突觸變化有關。
海馬的記憶功能
海馬→穹窿→乳頭體→乳頭丘腦束→丘腦前核→扣帶回→海馬,這條環(huán)路是30年代就認識到的邊緣系統(tǒng)的主要回路,稱為帕帕茲環(huán)。
海馬結構與情緒體驗有關,近些年發(fā)現(xiàn),內側嗅回與海馬結構之間存在著三突觸回路,它與記憶功能有關。
三突觸回路具有什么特性,證據及通過什么實驗證明?
三突觸回路是海馬齒狀回內嗅區(qū)與海馬之間的聯(lián)系,具有特殊的機能特性,成為支持長時記憶機制的證據。
長時程增強(LTP)現(xiàn)象,即電刺內嗅區(qū)皮層向海馬結構發(fā)出的穿通回路時,在海馬齒狀回可記錄出細胞外的誘發(fā)反應。如果電刺激由約100個電脈沖組成,在1-10秒內給出,則齒狀回誘發(fā)性細胞外電活動在5-25分鐘之后增強了2.5倍,說明電刺激穿通回路引起齒狀回神經元突觸后興奮電位的 LTP,因而這些神經元單位發(fā)放的頻率增加。后來他們又報道,海馬齒狀回神經元突觸電活動的LTP現(xiàn)象可持續(xù)數(shù)月的時間。他們認為,由短暫電刺激穿通回路所引起的三突觸神經回路持續(xù)性變化,可能是記憶的重要基礎。
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